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选用防爆摄像机芯片的一般要素有哪些?

浏览:102 发表时间:2020-10-19 15:57:22

  目前防爆摄像机灯主要有三种制作方式:一:卤素灯,二:多芯片LED,三:单芯片LED。就这三个制作方式,强美科技为大家简单介绍一下他们的原理及不同。

  1、卤素灯能耗高,发热量大,是传统市场上应用的红外灯,应用寿命较短,所以很难适宜防爆摄像机配套应用。

  2、多芯片LED也有两种情势,一种是蕴含4到8颗芯片;另外一种是阵列式发光片,含有10到30颗芯片。为什么做多芯片呢?潜在的实际是:红外灯照射间隔不够是因为能量不够,更多的芯片聚拢在一起,当然能量就大,这样的话通常照射间隔更远。这个假如能保障红外灯的光芒的接收率,是对的,但是在接收率不能保障的前提下,再多的红外灯芯片只会造成运行温渡过高而影响寿命,并不能真正改良红外灯照射的间隔。

  总体来说,多芯片的红外摄像机在性能方面还是一个普通的卤素灯,但是多芯片LED因其结构上的固有缺陷没有发光焦点,发光光学系统不合理,有用光效率也对照低。比方阵列式LED,电流高达1000mA以上,根底只是一分钱硬币大小,散热就成为一个问题。而咱们做技术的都知道,LED最怕的就是高热啊,热度一高不坏都难呀。同时,多芯片LED的生产要求非常严厉,每颗芯片都不能有性能上的一点差别,否则一颗芯片坏掉的话伤害的是整体芯片LED的整体。总体而言,应用在防爆红外摄像机上面,现有的多芯片技术LED的寿命是远远不够。

  3、单芯片LED生产工艺简略,品质容易保障、发热量低、发光光学系统合理,是做防爆红外摄像机红外灯理想的器件,实际上应用寿命可达10万小时以上。所以自然在技术上就偏向单芯片了。但是单芯片的红外灯还是有很多制约的因素,比如说有的LED芯片级别很低,杂质超标;有的生产工艺不过关,有漏电现象;有的超功率应用,额定20mA,却应用50mA以上;有的没有维护电路,或电路设计不合理,这些都会导致单芯片LED红外灯快速坏掉。


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